从澎湃S1到S2,小米正在提升芯片设计能力

小米的澎湃S1芯片刚刚搭载在小米5C上上市销售,眼下又有消息指其第二款芯片澎湃S2将上市,不过似乎这颗新芯片并非传说中的高端芯片V970,而是一款设计与澎湃S1基本一样的芯片,只不过其工艺更先进,采用了台积电的16nmFinFET工艺,而澎湃S1是28nm工艺。

小米的第一款芯片澎湃S1是八核A53架构,采用了当下大部分中低端芯片所采用的台积电28nm工艺。在性能方面其实表现还不错,与高通的骁龙625和联发科的helio P20相当。

不过由于骁龙625和helio P20采用了台积电的更先进16nmFinFET工艺,在网友的测试中,这两款芯片的性能表现更为稳定,而澎湃S1则在使用一段时间后出现了性能下降,不过考虑到这几款芯片都是定位于中低端市场,影响倒不大。

在联发科和高通的中低端芯片都开始采用了更先进的16nmFinFET工艺时,而小米的澎湃S1还继续采用28nm工艺也是一种无奈,毕竟这是小米自己第一款芯片,为了控制成本于是采用了成本更低的28nm工艺。

如今其第一款芯片澎湃S1已正式搭载于小米5C上市,特别是GPU性能方面优于骁龙625,市场反映还不错,这意味着这第一款芯片是基本取得成功,这提升了小米的信心,在这样的情况下它也就愿意投入更多的成本开发芯片,或许正基于这种成功经验其愿意引入更先进的16nmFinFET工艺生产澎湃S2。

当然如果澎湃S2在引入了16nmFinFET工艺后表现优异,其高端芯片V970引入该工艺的可能性也将是相当高的。台积电当下最先进的工艺是10nm,不过目前还陷于良率提升上,并且即使良率达标,到三季度还要用于生产苹果的A11处理器;在A11处理器的生产高峰过去后,又需要为华为海思、联发科提供10nm产能,考虑到当前小米芯片对产能的需求较小其在获得产能的优先次序上无疑是落于华为海思和联发科之后的。

在这样的情况下,其高端芯片V970采用台积电的16nmFinFET工艺的可能性是相当高的。据说V970的架构与华为海思当前的高端芯片麒麟960一样,都是四核A73+四核A53架构,而麒麟960正是采用了台积电的16nmFinFET工艺,性能和功耗表现都不差,考虑到成本和10nm产能的问题,V970采用16nmFinFET工艺也是相当合适的,而澎湃S2率先采用16nmFinFET工艺恰恰可以为V970引入该工艺积累经验。

不过让人可惜的是澎湃S1的基带是由联芯提供的,仅支持中国移动的三模而缺乏支持全网通的能力,如果澎湃S2延续了澎湃S1的架构,那么估计依然会采用联芯的基带。当然对于小米来说,这头两款芯片不可能追求完美,一步到位。

对于V970,笔者认为它会引入高通的基带,以支持全网通,毕竟当前的中高端手机普遍都支持全网通,小米的V970用于中高端手机上引入高通的基带会是更合适的选择。

从澎湃S1到澎湃S2,进而到其高端芯片V970,芯片设计能力步步提升,在短短两三年内达到接近华为海思和联发科的水平,对于小米这个芯片行业的新兵来说已经是十分了不起的进步了,后两者可是经历了数倍于小米的时间才拥有今天的芯片设计能力。

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